Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTC019N10NM5ATMA1
TRENCH >=100V PG-HDSOP-16
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-HDSOP-16-2
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTC019N10NM5
IPTC019N10NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPTC019N10NM5ATMA1, 100V drain-source voltajında çalışan N-channel power MOSFET transistörüdür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 31A sürekli drenaj akımı (Ta'da) ve 1.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında kullanılır. PG-HDSOP-16 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında kararlı performans sağlar. Gate charge değeri 160nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren güç elektronikleri, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 279A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 16-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-16-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok