Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTC014N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HDSOP-16
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-HDSOP-16-2
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTC014N08NM5ATMA1
IPTC014N08NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPTC014N08NM5ATMA1, 80V Drain-Source gerilimi ve 37A sürekli drenaj akımına sahip N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile üretilen bu bileşen, 1.4mΩ (10V, 100A koşullarında) düşük RDS(on) değeri sayesinde güç uygulamalarında verim kaybını minimize eder. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. PG-HDSOP-16 yüksek güç paketi ile tasarlanan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 180nC gate charge ve 13000pF input capacitance değerleri hızlı komutasyonu destekler. 300W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesi ile ağır endüstriyel uyguamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 330A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 16-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-16-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok