Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPTC012N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HDSOP-16
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- PG-HDSOP-16-2
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPTC012N08NM5
IPTC012N08NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPTC012N08NM5ATMA1, N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Düşük on-resistance değeri (1.2mOhm @ 100A, 10V) ile verimli anahtarlama ve enerji yönetimi sağlar. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. PG-HDSOP-16 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Ta), 396A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 219 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 16-PowerSOP Module |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HDSOP-16-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 275µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok