Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT65R195G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT65R195G7
IPT65R195G7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPT65R195G7XTMA1, 650V dayanımlı N-Channel Power MOSFET transistördür. 14A sürekli drenaj akımı ve 195mOhm (10V, 4.8A) on-state direnç değerleri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8-PowerSFN (PG-HSOF-8) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri, inverterler ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 97W güç yayma kapasitesine sahip transistör, 20nC gate charge ve 996pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 996 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 97W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 4.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok