Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT65R190CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT65R190CFD7
IPT65R190CFD7XTMA1 Hakkında
IPT65R190CFD7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 650V drain-source gerilim (Vdss) kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-PowerSFN paket tipi ile PCB'ye doğrudan monte edilir. Bu MOSFET, switching ve amplifikasyon işlemlerinde, güç elektroniği devreleri, motor kontrol uygulamaları ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. Metal oksit (MOSFET) teknolojisine sahip komponent, aktif durumdadır ve yüksek voltaj endüstriyel uygulamaları için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | TOLL |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok