Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT65R105G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT65R105G7
IPT65R105G7XTMA1 Hakkında
IPT65R105G7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 24A kontinü drenaj akımı ve 105mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıp uygulamaları için tasarlanmıştır. 35nC gate charge ve 1670pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlamaya ve verimli sürüş devreleri oluşturmaya imkan tanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. PG-HSOF-8-2 paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve anahtamalı güç regülatörleri gibi yüksek gerilim ve akım uygulamalarında kullanılır. 156W maksimum güç tüketimi desteği ile ağır yüklü endüstriyel ve ticari sistemlerde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 8.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 440µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok