Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT65R033G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT65R033G7
IPT65R033G7XTMA1 Hakkında
IPT65R033G7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistördür. 69A sürekli dren akımı ve 33mΩ maksimum Rds(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında anahtarlama görevini üstlenir. 8-PowerSFN surface mount paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel frekans dönüştürücüler, şarj cihazları, güç kaynakları ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihazda 391W güç tüketimi yönetebilir ve 110nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 69A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5000 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 391W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 28.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.44mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok