Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R150G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 17A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R150G7
IPT60R150G7XTMA1 Hakkında
IPT60R150G7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 17A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 150mOhm maksimum RDS(on) değeriyle güç uygulamalarında düşük kayıp sağlar. 8-PowerSFN yüzey montaj paketi ile yoğun tasarımlarda kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük input kapasitansi (902pF@400V) sayesinde enerji dönüştürme devreleri, motor kontrolü, endüstriyel inverter ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 106W maksimum güç tüketimi ile orta güç uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 902 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 106W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok