Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R145CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R145CFD
IPT60R145CFD7XTMA1 Hakkında
IPT60R145CFD7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 600V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 19A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 145mΩ maksimum on-direnci (Rds On @ 6A, 10V) sahip olup, 116W maksimum güç tüketimi özellikleriyle güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. Surface Mount paketi (8-PowerSFN/PG-HSOF-8-1) ile PCB entegrasyonu sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında, endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol devreleri, şarj sistemleri ve DC-DC konverterler gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1199 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 116W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok