Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R125G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 20A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R125G7
IPT60R125G7XTMA1 Hakkında
IPT60R125G7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET'tir. 20A sürekli drenaj akımı ve 125mΩ (10V Vgs'de) on-resistance değerleriyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. Surface Mount (8-PowerSFN paketi) formatında sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, inverters, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, 120W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (27nC) ve input capacitance (1080pF) özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 6.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok