Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R125CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R125CFD7XTMA1
IPT60R125CFD7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPT60R125CFD7XTMA1, 600V Vdss voltajında çalışan N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 25°C sıcaklıkta 21A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance (125mΩ @ 6.8A, 10V) ile verimli güç yönetimi sağlar. Surface Mount 8-PowerSFN paket tipinde sunulan transistör, 31nC gate charge ve ±20V maksimum gate-source voltajı ile hızlı anahtarlama uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihaz, 127W maksimum güç tüketimi seviyesinde tasarlanmıştır. Güç elektronikleri, motor denetleyicileri, DC-DC konvertörler ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1330 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 127W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 340µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok