Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R105CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 24A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R105CFD7XTMA1
IPT60R105CFD7XTMA1 Hakkında
IPT60R105CFD7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source gerilim (Vdss) ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 24A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç kontrol devrelerinde anahtarlama işlevini yerine getirir. 8-PowerSFN yüzey montaj paketinde sağlanan bu transistör, endüstriyel şarj cihazları, güç kaynakları, enerji dönüştürücüler ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. 105mΩ maksimum gate-source direnci (Rds On) ve 36nC gate charge değerleri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir bir şekilde çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1503 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 7.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 390µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok