Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R090CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 28A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R090CFD7
IPT60R090CFD7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPT60R090CFD7XTMA1, 600V drain-source gerilimi ve 28A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistördür. 8-PowerSFN yüzey monte pakajında sunulan bu bileşen, 90mOhm maksimum on-state direncine ve 160W güç dağılım kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 10V gate sürücü geriliminde 42nC gate charge değerine ve 4.5V threshold geriliminine sahiptir. Endüstriyel güç dönüştürme uygulamaları, motor kontrol, şarj cihazları ve SMPS (Switch Mode Power Supply) tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1752 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 160W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 9.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 470µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok