Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R080G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 29A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R080G7
IPT60R080G7XTMA1 Hakkında
IPT60R080G7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V N-Channel MOSFET transistörüdür. 29A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 80mΩ maksimum on-state direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerSFN paket tipi ile yoğun dizayn gereksinimleri karşılar. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, AC-DC ve DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1640 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 490µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok