Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R065S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 8A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R065S7X
IPT60R065S7XTMA1 Hakkında
IPT60R065S7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilim ve 8A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 65mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PowerSFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel sürücüler, DC-DC dönüştürücüler, inverterler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 12V gate sürüş gerilimi ile standart sürücü entegrelerine uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1932 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 8A, 12V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 490µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok