Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R055CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R055CFD7X
IPT60R055CFD7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPT60R055CFD7XTMA1, 600V drain-source gerilimi ve 44A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. 8-PowerSFN surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 55mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaçak akım ve yüksek verim özellikleri sunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, güç elektronikleri uygulamalarında, anahtarlama devreleri, invertörler, motor kontrol sistemleri ve endüstriyel güç dönüşüm uygulamalarında kullanılır. 67nC gate charge ve 2721pF input capacitance değerleri hızlı komutasyon karakteristiği sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2721 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 236W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 15.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 760µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok