Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R050G7XTMA1
MOSFET N-CH 650V 44A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R050G7
IPT60R050G7XTMA1 Hakkında
IPT60R050G7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 650V Drain-Source gerilimi ve 44A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 10V sürücü geriliminde 50mΩ maksimum on-direnç değerine sahiptir. Surface mount 8-PowerSFN paketinde tasarlanmış olup, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 245W maksimum güç tüketim seviyesi ile endüstriyel motorlar, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), invertörler ve yüksek gerilim DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve düşük gate yükü özellikleri hızlı anahtarlama karakteristiğini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2670 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 15.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok