Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R045CFD7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 52A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R045CFD7XTMA1
IPT60R045CFD7XTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPT60R045CFD7XTMA1, 600V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. 52A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 45mΩ maksimum on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. 8-PowerSFN yüzey monte paketi endüstriyel kontrol sistemleri, inverter devreleri, şalter uygulamaları ve güç dönüştürme çevrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışması geniş sıcaklık aralığında güvenilir işletim sağlar. 270W maksimum güç dağılımı kapasitesiyle zorlu endüstriyel ortamlarda kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3194 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 18A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 900µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok