Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R040S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 13A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R040S7
IPT60R040S7XTMA1 Hakkında
IPT60R040S7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilimi ve 13A sürekli akım kapasitesiyle yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 40mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. 245W güç saçılma kapasitesiyle güç elektronikleri, anahtarlama kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 8-PowerSFN yüzey monte paketi ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83 nC @ 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3127 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 245W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 13A, 12V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 790µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok