Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPT60R035CFD7XTMA1

MOSFET N-CH 600V 67A 8HSOF

Paket/Kılıf
8-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
IPT60R035CFD7XTMA1

IPT60R035CFD7XTMA1 Hakkında

IPT60R035CFD7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. 67A kontinü drenaj akımı kapasitesine ve 35mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 8-PowerSFN yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında, AC/DC konvertörlerde, motor kontrol devrelerinde ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. ±20V gate voltajı aralığında ve -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışabilir. 109nC gate charge ve düşük parazitik kapasitans değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. 351W maksimum güç disipasyonu kapasitesi sayesinde güç yönetimi gerektiren uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 67A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4354 pF @ 400 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 351W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 24.9A, 10V
Supplier Device Package PG-HSOF-8-1
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 1.25mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok