Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT60R022S7
IPT60R022S7XTMA1 Hakkında
IPT60R022S7XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source voltaj sınırlaması ve 23A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 22mOhm maksimum on-dirençi (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerSFN (PG-HSOF-8-2) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımları mümkün kılar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 12V gate sürme voltajı ile standart lojik seviyeleri destekler. 150nC gate charge sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri ile verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150 nC @ 12 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5639 pF @ 300 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 23A, 12V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-2 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.44mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok