Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT111N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 96A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT111N20NFD
IPT111N20NFDATMA1 Hakkında
IPT111N20NFDATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 200V drain-source gerilimi ve 96A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 11.1mOhm on-resistance değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 375W maksimum güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır. Surface mount 8-PowerSFN paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenli şekilde işletilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 96A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7000 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 96A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 267µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok