Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT059N15N3ATMA1
MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT059N15N3
IPT059N15N3ATMA1 Hakkında
IPT059N15N3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 155A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 5.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount paketlemesi ve 8-PowerSFN kasa tipi ile kompakt devre tasarımlarına uyum gösterir. Güç endüstrisinde, motor kontrol devreleri, anahtarlama kaynakları ve enerji dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 155A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7200 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.9mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok