Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPT054N15N5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

Paket/Kılıf
8-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
IPT054N15N5

IPT054N15N5ATMA1 Hakkında

IPT054N15N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 150V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi kullanılan bu bileşen, 143A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 5.4mΩ Rds(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. PG-HSOF-8 Surface Mount paketi ile PCB entegrasyonu basittir. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sunur. Güç kaynakları, motor kontrolü, DC-DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate gerilimi toleransı geniş uyumluluk sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 143A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-HSOF-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.6V @ 181µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok