Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPT044N15N5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

Paket/Kılıf
8-PowerSFN
Seri / Aile Numarası
IPT044N15N5

IPT044N15N5ATMA1 Hakkında

IPT044N15N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 150V N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisine dayalı tasarımı ile düşük RDS(on) değeri ve yüksek anahtarlama hızı sağlar. 174A sürekli dren akımı kapasitesi ve 300W maksimum güç saçılımı ile güç uygulamalarında kullanılır. DC-DC konvertörler, inverter devreleri, motor kontrol sistemleri ve elektrik traktör drivetrain uygulamalarında sıkça tercih edilir. PG-HSOF-8 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 174A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerSFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device Package PG-HSOF-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.6V @ 221µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok