Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT039N15N5ATMA1
OPTIMOS 5 POWER MOSFET
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT039N15N5
IPT039N15N5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPT039N15N5ATMA1, OPTIMOS 5 serisi N-Channel Power MOSFET'tir. 150V Drain-Source gerilim kapasitesi ile tasarlanan bu transistör, 21A sürekli drenaj akımında çalışır. Düşük 3.9mΩ on-resistance değeri sayesinde enerji kayıplarını minimize eder. 8-PowerSFN yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. -55°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Ta), 190A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7700 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 319W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.6V @ 257µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok