Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT030N12N3GATMA1
TRENCH >=100V
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT030N12N3
IPT030N12N3GATMA1 Hakkında
IPT030N12N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V (Vdss) drain-source gerilimi ve 24A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Trench teknolojisine dayalı tasarımı, 3mΩ düşük on-resistance (RdsOn) ile verimli güç aktarımı sağlar. ±20V gate gerilimi aralığında çalışan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 8-PowerSFN paket içinde gelen transistör, -55°C ile +175°C arasında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 237A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 198 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok