Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT029N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT029N08N5
IPT029N08N5ATMA1 Hakkında
IPT029N08N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj kapasitesi ve 52A sürekli drain akımı (Ta @ 25°C), 169A maksimum akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.9mΩ (10V @ 150A) düşük on-state direnci sayesinde enerji kaybı minimize edilir. HSOF-8 (PG-HSOF-8-1) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, inverterler ve switching güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ~ 175°C geniş sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge 87nC @ 10V, input capacitance 6500pF @ 40V ve threshold voltage 3.8V @ 108µA özellikleriyle hızlı anahtarlama ve düşük kayıp performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 52A (Ta), 169A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6500 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 168W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 108µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok