Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT026N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A/202A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT026N10N5
IPT026N10N5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPT026N10N5ATMA1, 100V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 27A sürekli drain akımı (Ta) ve 202A maksimum drain akımı (Tc) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 2.6mOhm RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Gate charge 120nC ve input capacitance 8800pF özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen, 214W güç dissipasyonuna sahip bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol ve inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 8-HSOF (PG-HSOF-8-1) SMD paketinde tedarik edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 202A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 158µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok