Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT020N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT020N10N5
IPT020N10N5ATMA1 Hakkında
IPT020N10N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 31A sürekli akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılan bir yarı iletken komponenttir. 2mΩ maksimum gate-source direnç, 260A pulsatlı akım ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir. Surface mount 8-pin PG-HSOF-8-1 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta), 260A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 152 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 273W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 202µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok