Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT020N10N3ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT020N10N3
IPT020N10N3ATMA1 Hakkında
IPT020N10N3ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 300A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 2mΩ on-state direnci (10V gate geriliminde, 150A drain akımında) düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerSFN (HSOF-8) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç yönetimi, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüşüm sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında 375W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 156 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11200 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 272µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok