Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT015N10N5
IPT015N10N5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPT015N10N5ATMA1, 100V drain-source voltaj ile çalışabilen ve 300A sürekli drain akımı sağlayabilen N-channel MOSFET'tir. 8-PowerSFN (8-HSOF) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, 1.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kanal direnci özellikledir. Maksimum 375W güç tüketebilen bileşen, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur. Gate charge değeri 211nC olup, ±20V gate-source voltaj toleransına sahiptir. Güç uygulamaları, motor sürücüleri, pil yönetim sistemleri ve AC/DC dönüştürücü devreleri gibi yüksek akım gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 211 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok