Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT014N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT014N08NM5
IPT014N08NM5ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPT014N08NM5ATMA1, 80V drain-source voltaj ile çalışan N-Channel Trench MOSFET transistördür. 37A sürekli drenaj akımı kapasitesi ve 1.4mΩ (10V gate voltajında) düşük on-direnci ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. PG-HSOF-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, yük anahtarlaması ve güç dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına ve 300W maksimum güç tüketim kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A (Ta), 331A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok