Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT013N08NM5LFATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT013N08NM5
IPT013N08NM5LFATMA1 Hakkında
IPT013N08NM5LFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. Trench teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, 80V (Vdss) dren-kaynak gerilim dayanımı ve 333A sürekli dren akımı sağlar. 1.3mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlayan bu transistör, güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. 278W maksimum güç yayılım kapasitesi ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile +150°C arası) sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir. 8-PowerSFN yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 333A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 158 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 820 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.3mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok