Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT012N08N5
IPT012N08N5ATMA1 Hakkında
IPT012N08N5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 300A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 1.2mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. 223nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, motor kontrol, güç kaynakları, endüstriyel sürücüler ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde uygulanır. Surface mount 8-PowerSFN paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş kontrol aralığı destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 223 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok