Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT010N08NM5ATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT010N08NM5
IPT010N08NM5ATMA1 Hakkında
IPT010N08NM5ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Trench MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 43A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 1.05mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Surface mount PG-HSOF-8 paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, power management, DC-DC converter ve ağır yük anahtarlama devrelerinde uygulanır. Gate charge değeri 223nC olan cihaz hızlı anahtarlama operasyonlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 43A (Ta), 425A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 223 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok