Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT008N06NM5LFATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT008N06NM5
IPT008N06NM5LFATMA1 Hakkında
IPT008N06NM5LFATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Trench teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 60V drain-source gerilimi ve 454A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 800µΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde çalışan bu MOSFET, 278W maksimum güç dağıtabilir. PG-HSOF-8 yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve ağır akım anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 454A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 185 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800µOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok