Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerSFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPT007N06NATMA1
IPT007N06NATMA1 Hakkında
IPT007N06NATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi, 300A sürekli dren akımı kapasitesi ve 0.75mOhm Rds(on) değeri ile güç uygulamalarında kullanılır. 8-PowerSFN yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, motorlar, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi sistemlerinde anahtarlama elemanı olarak görev alır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında 375W güç saçabilme yeteneğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 300A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 287 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 16000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerSFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 375W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.75mOhm @ 150A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-HSOF-8-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.3V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok