Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R950CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R950CE
IPSA70R950CEAKMA1 Hakkında
IPSA70R950CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 700V N-Channel MOSFET transistördür. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 8.7A sürekli drain akımı kapasitesine ve 950mOhm maximum Rds(On) değerine sahiptir. 10V gate drive voltajında çalışan transistör, -40°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığına uyumludur. Gate charge 15.3nC ve input capacitance 328pF değerlerine sahip olan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve switching power supplies tasarımlarında kullanılır. Ürün yeni tasarımlar için kullanılmamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 328 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-347 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok