Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R900P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R900P7
IPSA70R900P7SAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPSA70R900P7SAKMA1, 700V drain-source gerilimi ile tasarlanmış N-channel MOSFET transistörüdür. 6A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-251-3 (IPak) paketinde sunulmaktadır. 900mΩ maksimum on-state direnci ve 10V gate drive voltajında çalışan transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görür. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında ve 30.5W güç harcaması kapasitesinde tasarlanmıştır. AC-DC konverterler, invertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 400 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 211 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 30.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok