Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R750P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R750P7
IPSA70R750P7SAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPSA70R750P7SAKMA1, 700V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 6.5A sürekli dren akımı ve 750mΩ maksimum RDS(on) değerleri ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunan IPSA70R750P7, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, SMPS uygulamaları, invertörler ve yüksek voltajlı anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 16V maksimum gate-source voltajı ve 3.5V threshold voltajı ile kontrol edilebilir, 34.7W güç tüketim kapasitesi sayesinde ısıl yönetim açısından avantajlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 400 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 306 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 34.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok