Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R600P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R600P7
IPSA70R600P7SAKMA1 Hakkında
IPSA70R600P7SAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilimi ve 8.5A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, 600mΩ (10V, 1.8A) ile düşük on-direnç sunar. Güç kaynakları, inverters, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilir ve 43.1W maksimum güç dağıtabilir. 10.5nC gate charge ve 364pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 400 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 364 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok