Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R600CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 10.5A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R600CE
IPSA70R600CEAKMA1 Hakkında
IPSA70R600CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 700V Drain-Source gerilimi ve 10.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 600mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, DC-DC konvertörler ve motor sürücüleri gibi yüksek gerilim anahtarlamalı devrelerinde kullanılır. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 86W maksimum güç dağıtabilir. 22nC gate charge ve 474pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 474 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 86W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 210µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok