Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R360P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R360P7S
IPSA70R360P7SAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPSA70R360P7SAKMA1, 700V drain-source gerilim dayanımına sahip N-channel MOSFET transistördür. 12.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 360mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve elektriksel enerji dönüşüm uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 16.4nC gate charge ve düşük input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama işlemine olanak sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.4 nC @ 400 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 517 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 59.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok