Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R2K0P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 3A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R2K0P7
IPSA70R2K0P7SAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPSA70R2K0P7SAKMA1, N-Channel MOSFET transistördür. 700V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-251-3 SMD paketinde sunulan bu bileşen, 2Ω maksimum drain-source direnci ve 3.8nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama hızı ve enerji verimliliği gerektiren devrelerde kullanılır. Güç yönetimi, AC-DC konvertörleri, motor kontrol ve endüstriyel güç elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 400 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 17.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-347 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok