Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R2K0CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R2K0CE
IPSA70R2K0CEAKMA1 Hakkında
IPSA70R2K0CEAKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 700V drain-source gerilim (Vdss) ve 4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 10V kapı geriliminde 2Ω maksimum RdsOn değerine sahip olan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. TO-251-3 paketinde sunulan komponent -40°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 42W güç tüketimi toleransına sahiptir. Kapalı tasarımlar ve kompakt çözümler gerektiren uygulamalara uygundur. Part Status olarak yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 163 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok