Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R1K4P7SAKMA1
MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R1K4P7
IPSA70R1K4P7SAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPSA70R1K4P7SAKMA1, 700V Drain-Source voltaj aralığında çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 4A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş voltajında 1.4Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Düşük gate charge (4.7 nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlamalı güç kaynakları, boost konvertörleri ve yüksek voltaj uygulamalarında tercih edilir. 22.7W maksimum güç kaybı kapasitesi ile termal yönetim açısından orta seviye uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 400 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 158 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok