Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPSA70R1K4CEAKMA1
MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPSA70R1K4CE
IPSA70R1K4CEAKMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPSA70R1K4CEAKMA1, 700V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 5.4A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.4Ω maksimum on-direnç özellikleriyle, endüstriyel güç dönüştürme devreleri, anahtarlama uygulamaları ve inverter tasarımlarında kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan komponent, -40°C ile +150°C arasında çalışır. 10.5nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Güç dissipasyonu 53W'a kadar çıkabilir. High-side ve low-side anahtar uygulamaları, AC-DC konvertörleri, DC-DC power supplies ve endüstriyel motor kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok