Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS80R600P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS80R600P7
IPS80R600P7AKMA1 Hakkında
IPS80R600P7AKMA1, 800V drain-source gerilim ve 8A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanan N-channel MOSFET'tir. TO-251-3 IPak paketlemesinde sunulan bu transistör, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 600mΩ maksimum drain-source direnci (Rds On) ve 20nC gate charge karakteristikleriyle, yüksek gerilim anahtarlama devreleri, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yer almaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 60W güç yayınlama kapasitesine sahiptir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş kontrol esnekliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 570 pF @ 500 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 3.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-342 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 170µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok