Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPS80R1K4P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPS80R1K4P7AKMA1
IPS80R1K4P7AKMA1 Hakkında
IPS80R1K4P7AKMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 800V/4A N-Channel MOSFET transistördür. Super Junction teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, güç dönüştürme uygulamalarında ve anahtarlama devreleri için kullanılır. TO-251-3 paketinde sunulan transistör, 1.4Ω @ 10V Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 32W güç tüketimi kapasitesi ve -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyumludur. Yüksek voltaj anahtarlama uygulamaları, power supply tasarımları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 32W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.4A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO251-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok